I Transistor ad effetto campo (FET – Field Effect Transistor) sono dispositivi a semiconduttore comandati in tensione a differenza dei transistor tradizionali (BJT: bipolar junction transistor) che invece sono comandati in corrente. Il transistor ad effetto campo differisce dal transistor bipolare a giunzione per alcune importanti caratteristiche: 1) Il suo funzionamento dipende dal flusso dei […]
Daily Archives: 20 Dicembre 2019
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